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領(lǐng)域	詳細說明	應(yīng)用
質(zhì)譜和分析儀器	針對質(zhì)譜系統(tǒng)優(yōu)化的全系列泵和控制器具有多入口泵組的定制泵低成本、易于使用、高分析性能對于 GC/MS，提供用于相對低氣體載荷環(huán)境的 1 個真空室和用于分析無機樣品的中等真空接口對于 LC/MS，需要提供多室、高通量真空系統(tǒng) 對于 ICP-MS，提供多種真空系統(tǒng)，包括用于氬氣等重載氣的泵和使用氦氣的碰撞池對于 TOF 系統(tǒng)，需要較小尺寸、高通量和高效的散熱設(shè)備	質(zhì)譜 GC/MS LC/MS ICP-MS TOF
科研中的真空應(yīng)用	非常清潔、可靠和高性價比的 HV 和 UHV 粗真空軸承未暴露于 UHV，降低了污染高速和高壓縮可以以任意角度安裝聯(lián)用 Turbo-V 和 TriScroll 干式泵可泵送大量氣體	高能物理融合技術(shù) 一般 UHV 研究同步光源粒子加速器
工業(yè)真空加工	為薄膜沉積應(yīng)用而專門設(shè)計的集成分子泵解決方案適用于原始設(shè)備制造商和終端用戶的專業(yè)性能適用于具有預(yù)真空鎖或大型內(nèi)聯(lián)連續(xù)系統(tǒng)的單室批量系統(tǒng)和多室系統(tǒng)的泵	薄膜沉積：玻璃涂層設(shè)備（建筑和汽車玻璃，平板顯示器）薄膜太陽能電池生產(chǎn)（光電）光學數(shù)據(jù)介質(zhì)（CD、DVD、磁光光盤）磁性存儲介質(zhì) 表面處理光學涂層（眼科、精密光電）膜或箔上的輥式/卷繞涂覆設(shè)備加工：生產(chǎn)電視機和顯示器顯像管疏散燈（高速公路照明、投影機） X 射線管和電子設(shè)備一般工藝：真空爐/冶金
納米技術(shù)儀器	分析從有機化合物到半導體晶片等各類物質(zhì) 全系列的高真空和超高真空泵特別適用于要求嚴苛的 SEM、TEM 和表面分析系統(tǒng) 低振動渦旋泵適用于敏感的顯微分析可快速、無油式排空大型樣品室內(nèi)的氣體集成的泵控制器可靈活進行控制，幾乎不生成電磁噪音非常適合為半導體生產(chǎn)創(chuàng)造合適環(huán)境高轉(zhuǎn)速確保能夠以高泵速抽空半導體生產(chǎn)中釋放的輕質(zhì)氣體（He、H）符合高速循環(huán)應(yīng)用的嚴格要求，例如真空裝載鎖通過對多個渦旋泵聯(lián)用一個前級泵，可提高工具的可靠性聯(lián)用 Turbo-V 和 TriScroll 干式泵可泵送大量氣體安裝于支架上的控制器或一體式控制器允許將電子設(shè)備放置于遠處	電子顯微鏡（SEM、TEM）聚焦離子束系統(tǒng) (FIB) 表面分析半導體制造

抽速： ISO 160： ISO 200：	Ar：750 L/s Ar：1040 L/s	N₂：810 L/s N₂：1080 L/s	He：950 L/s/ He：1150 L/s	H₂：680 L/s H₂：730 L/s
壓縮比：	Ar：5 × 10⁸	N₂：5 × 10⁷	He：4 × 10⁴	H₂ 1.5 × 10⁴
*極限真空（使用推薦的前級泵）**	< 1 × 10^-10 mbar
入口法蘭	ISO 160F，ISO 200F
前級管道法蘭 ISO 160： ISO 200：	KF 25 NW KF 40 NW
額定轉(zhuǎn)速	45500 rpm
啟動時間	< 5 分鐘
推薦的最小前級泵	> 20 m³/h (TriScroll 600, DS 602)
工作位置	任意位置
操作環(huán)境溫度	+5 °C 至 +35 °C
烘烤溫度	入口法蘭最高溫度 80 ℃（ISO 法蘭）
振動參數(shù)（位移）	在入口法蘭處小于 0.01 μm
冷卻要求	水
電源輸入電壓：100-240 Vac 最大運行功率：	< 輸入頻率：50-60 Hz 使用氮氣和輕質(zhì)氣體（水冷設(shè)置）時為 400 W 使用氬氣（風冷設(shè)置）時為 260 W	最大輸入功率：600 VA	待機功率：30 至 35 W
保險絲（Navigator 控制器）	1 × 6.3 A
串行通信（Navigator 套件）	RS232 電纜，9 針 D 型	外插頭和 9 針 D 型插口，以及 Navigator 軟件（可選）
儲存溫度	-20 °C 至 +70 °C
重量	26.8 kg（59.1 磅）